直线阵列天线的综合是在预先给定辐射特性(如方向图形状、主瓣宽度、副瓣电平、方向性系数)的情况下，综合出阵列单元数、间距、激励幅度和相位。 其中最常见的为给定方向图主瓣宽度、副瓣电平的要求进行综合，方向图的其它细节不苛求。这类综合方法最著名的是道尔夫—切比雪夫综合法，泰勒综合法、高斯分布、二项式分布、SinZ-Z和Villeneuve分布等。 切比雪夫阵列的主要特点包括：等副瓣电平；在相同副瓣电平和相同阵列长度下主瓣最窄。泰勒阵列分布的特点是：靠近主瓣某个区域内的副瓣电平接近相等，随后单调地减小，有利于提高天线方向性。 二项式分布是没有副瓣电平的，高斯分布比较接近与二项式分布，SinZ-Z分布主副瓣电平比较高，其他副瓣电平较低，Villeneuve分布的副瓣电平逐渐降低。 泰勒分布的口径效率随着副瓣电平的降低而降低，切比雪夫的口径效率随着副瓣电平的降低先升高后降低，同时泰勒分布的口径效率与阵元数量关系不大，比较稳定，切比雪夫分布的口径效率与阵元数量有关。

切比雪夫阵列的主要特点包括：每个副瓣电平是相等的；在相同副瓣电平和相同阵列长度下主瓣最窄；单元激励的分布公式如下所示： 32阵元的切比雪夫阵，副瓣电平分别为20、24、30、40dB，阵列的馈电分布如下所示： 32阵元的切比雪夫阵，副瓣电平分别为20、24、30、40dB对应的天线方向图如下所示：

泰勒阵列分布的特点是：靠近主瓣某个区域内的副瓣电平接近相等，随后单调地减小，有利于提高天线方向性。单元激励的分布公式如下所示： 32阵元的泰勒分布阵，副瓣电平分别为20、24、30、40dB，阵列的馈电分布如下所示： 32阵元的泰勒分布阵，副瓣电平分别为20、24、30、40dB对应的天线方向图如下所示：

高斯分布的馈电分布公式如下所示： 二项式分布的馈电分布的公式如下所示： SinZ-Z的馈电分布的公式如下所示： Villeneuve馈电分布的公式如下所示： 16阵元的高斯分布、二项式分布、SinZ-Z和Villeneuve的馈电幅度如下所示： 16阵元的高斯分布、二项式分布、SinZ-Z和Villeneuve的阵列方向图如下所示： 综上所示，其中二项式分布是没有副瓣电平的，高斯分布比较接近与二项式分布，SinZ-Z分布主副瓣电平比较高，其他副瓣电平较低，Villeneuve分布的副瓣电平逐渐降低。

32阵元副瓣电平30dB的切比雪夫、泰勒和Villeneuve馈电分布如下所示： 32阵元副瓣电平30dB的切比雪夫、泰勒和Villeneuve阵列方向图如下所示：

阵元规模32阵元，切比雪夫、泰勒和Villeneuve分布在不同副瓣电平下的口径效率如下所示： 副瓣电平24dB，切比雪夫、泰勒和Villeneuve分布在不同阵元规模下的口径效率如下所示： 副瓣电平32dB，切比雪夫、泰勒和Villeneuve分布在不同阵元规模下的口径效率如下所示： 泰勒分布的口径效率随着副瓣电平的降低而降低，切比雪夫的口径效率随着副瓣电平的降低先升高后降低，同时泰勒分布的口径效率与阵元数量关系不大，比较稳定，切比雪夫分布的口径效率与阵元数量有关。

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